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ESD5V5U5ULC
Characteristics
60
50
40
30
20
10
ESD5V5U5ULC
R DYN
R DYN =0.2 Ω
30
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
0
V TLP [V]
Figure 9
TLP characteristic I/O to GND Note: [2]
60
50
40
30
20
10
ESD5V5U5ULC
R DYN
R DYN =0.3 Ω
30
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
0
V TLP [V]
Figure 10
TLP characteristic GND to I/O Note: [2]
Note: TLP parameter: Z 0 = 50 Ω , t p = 100 ns, t r = 300 ps, averaging window: t 1 = 30 ns to t 2 = 60 ns, extraction of
dynamic resistance using least squares fit of TLP charactertistic between I PP1 = 10 A and I PP2 = 40 A. The
equivalent stress level V IEC according IEC 61000-4-2 ( R = 330 Ω , C = 150 pF) is calculated at the broad
peak of the IEC waveform at t = 30 ns with 2 A / kV
Final Data Sheet
11
Revision 1.2, 2013-02-07
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